Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияГосударственный оптический институт им.С.И.Вавилова, 199034 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Релаксация носителей заряда вквантовых точках сучастием плазмон-фононных мод

Федоров А.В., Баранов А.В.

Федоров А.В., Баранов А.В. Релаксация носителей заряда вквантовых точках сучастием плазмон-фононных мод // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1101

Аннотация Рассмотрен новый механизм внутризонной релаксации носителей заряда в квантовых точках, встроенных в гетероструктуру на относительно большом расстоянии от ее легированных элементов. Процесс релаксации обусловлен связью электронной подсистемы квантовой точки с плазмон-фононными возбуждениями легированных компонент гетероструктуры через электрический потенциал, индуцированный этими возбуждениями. Показано, что взаимодействие такого типа с объемными плазмон-LO-фононными модами возможно лишь благодаря их пространственной дисперсии. Проведенные оценки скоростей релаксации показали, что рассматриваемый механизм достаточно эффективен даже в случае, когда квантовые точки удалены от легированных областей гетероструктуры на расстояния вплоть до100 нм. Если же это расстояние составляет несколько десятков нанометров, то он может стать доминирующим.