Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНаучно-производственное предприятие &#92;glqq Исток&#92;grqq, 141190 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование глубоких уровней вCdHgTe методом туннельного тока фотодиодов

Туринов В.И.

Туринов В.И. Исследование глубоких уровней вCdHgTe методом туннельного тока фотодиодов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1129

Аннотация На фотодиодах CdxHg1-xTe при исследовании туннельного тока Jt через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания Et-Ev и концентрацияNt. Практически для всех фотодиодов характерно наличие мелких акцепторных уровней с Et-Ev=8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиямиVHg+. Вряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни Et=Ev+0.26Eg, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни Et=Ev+0.6Eg, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.