Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот наоснове сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток

Павельев Д.Г., Демарина Н.В., Кошуринов Ю.И., Васильев А.П., Семенова Е.С., Жуков А.Е., Устинов В.М.

Павельев Д.Г., Демарина Н.В., Кошуринов Ю.И., Васильев А.П., Семенова Е.С., Жуков А.Е., Устинов В.М. Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот наоснове сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1141

Аннотация Исследованы характеристики омических контактов на основе InGaAs в планарных диодах на полупроводниковых сверхрешетках с малой площадью активной области (1-10 мкм2). Диоды изготавливались на основе коротких (18или30периодов) высоколегированных (1018 см-3) GaAs/AlAs-сверхрешеток с шириной минизоны24.4 мэВ. Величина приведенного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2·10-7 Ом·см2. Показано, что свойства созданных планарных диодов позволят в дальнейшем использовать их в полупроводниковых приборах, функционирующих в терагерцовой области частот в широком диапазоне температур (4-300 K).