Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников,2600 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений приоблучении alpha -частицами

Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В.

Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. Поведение варизонных детекторов ионизирующих излучений приоблучении alpha -частицами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1147

Аннотация Исследовано влияние облучения alpha-частицами на величину токового и оптического отклика варизонных детекторов alpha-частиц и рентгеновского излучения в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Установлено, что снижение величины как токового, так и оптического отклика обусловлено ростом скорости безызлучательной рекомбинации при увеличении дозы облучения alpha-частицами.