Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние сероводорода наэлектрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag

Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М.

Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода наэлектрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1234

Аннотация Для гетероструктуры Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag проведены исследования вольт-амперных характеристик, спектральной фоточувствительности, зависимости фототока от смещения и влияния на них газовой смеси 1%-H2S/N2. Установлен механизм токопереноса для темновых и световых носителей J прапорционально U2. Результатом экспонирования в сероводороде является сдвиг спектральной кривой фотоэдс в коротковолновую область. Кинетика спада фототока в атмосфере сероводорода характеризуется большими временами релаксации.