Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация+ Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия =/= Max-Planck-Institute for Microstructure Physics, D ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Овозможностях подавления формирования dome-кластеров примолекулярно-пучковой эпитаксии Ge наSi (100)

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P.

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P. Овозможностях подавления формирования dome-кластеров примолекулярно-пучковой эпитаксии Ge наSi (100) // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1239

Аннотация Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островковGe нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600oC. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.