Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияЗАО &#92;glqq Научное и технологическое оборудование&#92;grqq, 194156 Санкт-Петербург, Россия * Государственное унитарное предприятие &#92;glqq Пульсар&#92;grqq, 105187 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сверхвысокочастотные полевые транзисторы наоснове нитридов IIIгруппы

Александров С.Б., Баранов Д.А., Кайдаш А.П., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Степанов М.В., Чалый В.П., Гладышева Н.Б., Дорофеев А.А., Матвеев Ю.А., Чернявский А.А. Сверхвысокочастотные полевые транзисторы наоснове нитридов IIIгруппы // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1275

Аннотация Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетероструктур AlGaN / GaN / AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокочастотных транзисторов на основе нитридов IIIгруппы, включающие в себя формирование меза-изоляции и цикл изготовления омических контактов и барьера Шоттки. Первые полевые транзисторы, изготовленные из указанных гетероструктур, имеют полный набор статических характеристик и демонстрируют работоспособность в режиме малых сверхвысокочастотных сигналов на частоте 8.15 ГГц.