Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Laboratoire PHASE, Universite Louis Pasteur, BP20CR, 67037 Strasbourg, France + Wihuri Laboratory, Turku University, 20014 Turku, Finland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO2 спомощью селективного травления

Дунаевский М.С., Grob J.J., Забродский А.Г., Laiho R., Титков А.Н.

Дунаевский М.С., Grob J.J., Забродский А.Г., Laiho R., Титков А.Н. АСМ визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле SiO2 спомощью селективного травления // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1294

Аннотация Методами атомно-силовой микроскопии(АСМ) исследовались топография и локальная твердость протравленных поверхностей слоев термического окислаSiO2, содержащих в объеме нанокристаллыSi. НанокристаллыSi (Si-НК) были получены имплантацией в окисел ионов Si+ с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что применение селективного травления, удаляющего материал окисла, позволяет выявлять Si-НК, которые проявляются в рельефе протравленных поверхностей в виде нанобугорков высотой до2--3 нм. Эти значения примерно соответствуют среднему радиусу Si-НК в слое окислаSiO2. Независимое подтверждение наблюдения Si-НК было получено при сопоставлении топографии протравленных поверхностей с полученными для них картами локальной твердости, в которых бугорки Si-НК проявляются как места поверхности с меньшей твердостью. Вработе также наблюдалось фазовое выделение имплантированного Si в виде протяженных кластеров плоской формы, ориентированных в толще окисла параллельно его поверхности. Найденный способ выявления встроенных в окисел Si-НК и кластеров открывает удобную возможность изучения закономерностей зародышевого роста и спинодального распада в твердом раствореSi в окислеSiO2.