Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияТбилисский государственный университет им.И.Джавахишвили, 0128 Тбилиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов иполупроводников

Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б.

Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б. Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов иполупроводников // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1304

Аннотация Предложен механизм стимулирования низкотемпературного плазменного анодирования с использованием катализатора или ультафиолетового облучения при получении оксидных пленок металлов и полупроводников. Стимулирующее действие этих воздействий на процесс плазменного анодирования объясняется появлением дополнительной концентрации антисвязывающих квазичастиц (электронов идырок), ослабляющих химические связи анодируемого вещества. Приводятся условия проведения стимулированных процессов.