Профиль » Публикация

Аннотация Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур Sb-Si(n)-Ge33As12Se55-Sb и Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb. Установлено, что наличие атомов висмута в переходной области приводит к увеличению тока, протекающего через структуру. Область объемного заряда, а соответственно и величина проникновения контактного поля в p-область лежат в пределах 0.2-0.5 мкм. Введение модификационного слоя висмута также приводит к качественным изменениям вольт-амперной характеристики, что свидетельствует об изменении механизма переноса носителей заряда в структуре. Введение нанослоя Bi обусловливает переход от резкого гетероперехода к плавному. В структурах с модифицированным переходным слоем наблюдается отсутствие мягкого пробоя. Мягкий пробой наблюдается при обратном смещении, причем напряжение отсечки~0.62 В отвечает барьеру для электронов0.65 эВ.