Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики им.Х.И.Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н. Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1343

Аннотация Исследованы вольт-амперные характеристики, возникающие при встречных градиентах температуры, для \glqq длинных\grqq p-n-гетеропереходов Ge--GaAs. Наблюдался рост коэффициента выпрямления в зависимости от величины встречных тепловых потоков, который объясняется термоэлектрическим полем, образующимся на гетерогранице.