Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им.В.И.Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия + Институт прикладной физики Болгарско ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Гладышев А.Г., Сахаров А.В., Кокорев М.Ф., Шмидт Н.М., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Каканаков Р.

Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Гладышев А.Г., Сахаров А.В., Кокорев М.Ф., Шмидт Н.М., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Каканаков Р. Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1364

Аннотация Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений гетероструктур AlGaN/GaN. Получены структуры с двумерным электронным газом с подвижностью 1290 см2/(В · с) и концентрацией в канале 1.2· 1013 см-2 (при комнатной температуре). Рассмотрено влияние чистоты исходных компонентов на параметры полученных слоев и гетероструктур.