Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия * Московский государственный университет, 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронный магнетотранспорт всвязанных квантовых ямах сдвухсторонним легированием

Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А.

Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А. Электронный магнетотранспорт всвязанных квантовых ямах сдвухсторонним легированием // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1368

Аннотация Исследовано магнетосопротивление в слабых магнитных полях структур AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, разделенными тонким центральным барьером AlAs. Проведен стравнительный анализ точности описания наблюдающегося отрицательного магнетосопротивления по теории слабой локализации и в рамках кинетического подхода с помощью матрицы плотности. Показано, что кинетический подход в ряде случаев позволяет точнее описать экспериментальные зависимости.