Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технологический институт Российской академии наук, 117218 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерногоизлучения

Цуканов А.В.

Цуканов А.В. Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерногоизлучения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1382

Аннотация Теоретически изучено влияние резонансного лазерного импульса на квантовую динамику электронов в системе из 3 полупроводниковых квантовых точек, имеющих форму параллелепипедов. Показано, что в несимметричной структуре перенос электрона между крайними точками описывается двухуровневой схемой с диагональными переходами. Энергии рабочих уровней, а также матричные элементы для соответствующих электронных переходов получены в приближении высоких барьеров. Найдены параметры лазерного импульса, при которых вероятность резонансного перехода электрона из основного состояния одной квантовой точки в основное состояние другой квантовой точки является максимальной.