Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения напараметры структур металл--диэлектрик--полупроводник

Терехов В.А., Манько А.Н., Бормонтов Е.Н., Левченко В.Н., Требунских С.Ю., Тутов Е.А., Домашевская Э.П.

Терехов В.А., Манько А.Н., Бормонтов Е.Н., Левченко В.Н., Требунских С.Ю., Тутов Е.А., Домашевская Э.П. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения напараметры структур металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1435

Аннотация Исследованы изменения в структурах Al/SiO2/Si, возникающие в результате воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего фронта импульса 1.4· 10-9 с и с общей длительностью импульса ~ 11.5· 10-9 с, частотой следования импульсов10 кГц и различной энергией в импульсе (=<sssim 2.4· 10-4 Дж). Измерены вольт-фарадные характеристики таких структур до, во время и после воздействия сверхкороткими импульсами. Взависимости от энергии импульса обнаружены изменения во время воздействия, связанные с перестройкой неравновесной дефектной структуры границы раздела с полупроводником и поляризацией диэлектрика, а также необратимые изменения, связанные с пробоем, наблюдаемые и после выключения воздействия.