Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спектры остаточной фотопроводимости вгетероструктурах InAs/AlSb сквантовыми ямами

Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Гапонова Д.М., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Садофьев Ю.Г., Johnson S.R., Zhang Y.-H.

Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Гапонова Д.М., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Садофьев Ю.Г., Johnson S.R., Zhang Y.-H. Спектры остаточной фотопроводимости вгетероструктурах InAs/AlSb сквантовыми ямами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 30

Аннотация Исследовалась остаточная фотопроводимость гетероструктур AlSb / InAs / AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs при T=4.2 K. При подсветке ИК излучением homega=0.6-1.2 эВ наблюдалась положительная остаточная фотопроводимость, связываемая с фотоионизацией глубоких доноров. Вкоротковолновой области наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость, связанная с межзонной генерацией электронно--дырочных пар с последующим разделением электронов и дырок встроенным электрическим полем, заxватом электронов на ионизованные доноры и рекомбинацией дырок с двумерными электронами в InAs. При homega>3.1 эВ обнаружено резкое падение отрицательной фотопроводимости, связываемое с включением нового канала фотоионизации глубоких доноров в AlSb за счет переходов электронов в вышележащую над зоной проводимости энергетическую зону.