Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесцентные свойства гетероструктур сквантовыми ямамиGaInNAs

Мурель А.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Шашкин В.И., Шмагин В.Б., Хрыкин О.И.

Мурель А.В., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Гапонова Д.М., Шашкин В.И., Шмагин В.Б., Хрыкин О.И. Электролюминесцентные свойства гетероструктур сквантовыми ямамиGaInNAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 38

Аннотация Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны~ 1.2 мкм при температурах77 и300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.