Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками дляинфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм

Антонов А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Туловчиков В.С., Шашкин В.И.

Антонов А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Молдавская Л.Д., Мурель А.В., Туловчиков В.С., Шашкин В.И. Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками дляинфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 96

Аннотация Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров, но и формы--- увеличивается отношение вертикальных и латеральных размеров. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электонного транспорта. Врежиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры110 K.