Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точекGe вматрице ZnSe наGaAs
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н. Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точекGe вматрице ZnSe наGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 100
Аннотация
Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T=4.2 и300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа \glqq кулоновской лестницы\grqq. На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. Втранзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален