Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Университет Карлсруэ, Карлсруэ, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности структурного взаимодействия вгетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах

Сошников И.П., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е., Фомин А.В., Litvinov D., Hahn E., Gerthsen D.

Сошников И.П., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е., Фомин А.В., Litvinov D., Hahn E., Gerthsen D. Особенности структурного взаимодействия вгетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 112

Аннотация Проведены исследования структурных взаимодействий прорастающих дислокаций и слоев AlGaN и InGaN в гетероструктурах на основе GaN. Показано, что наиболее эффективная фильтрация дислокаций наблюдается на слоях InGaN промежуточного состава. Оценки структурных напряжений, создаваемых дислокациями и нанодоменами, показывают хорошее согласие теории и эксперимента.