Профиль » Публикация

Аннотация Представлены экспериментальные результаты по изучению особенностей зависимости латеральной фотопроводимости структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами от интенсивности межзонного света при низких температурах. Обнаружено, что рост фотопроводимости происходит пороговым образом. Вобласти относительно больших тянущих полей наблюдались осцилляции фотопроводимости. Изучено влияние тянущего поля и температуры на фотопроводимость. Результаты анализируются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда по локализованным состояниям при учете релаксации механического напряжения вокруг квантовых точек.