Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия * Физико-технический институт Нижегородского государственного университета, им. Н.И.Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия &#36; Институт Ван-дер ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спиновые эффекты виндуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-InxGa1-xAs / GaAs

Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л.

Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., де Виссер А., Пономаренко Л. Спиновые эффекты виндуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-InxGa1-xAs / GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 118

Аннотация В магнитном поле, ориентированном параллельно слоям двойных квантовых ям, изготовленных в гетеросистеме n-InxGa1-xAs / GaAs (x~0.18), обнаружены и исследованы особенности магнитосопротивления, обусловленные прохождением краев туннельной щели через уровень Ферми. Показано, что для достижения согласия расчетных положений этих особенностей с экспериментальными нужно учитывать спиновые расщепления в энергетическом спектре. Ранее подобные особенности магнитосопротивления наблюдались только в гетеросистеме n-GaAs / AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, но спиновые эффекты в ней не проявлялись.