Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Санкт-Петербургский государственный политехнич ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование способов получения исвойств квантовых молекул InAs вматрице GaAs

Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A.

Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A. Исследование способов получения исвойств квантовых молекул InAs вматрице GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 136

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезирован массив квантовых молекул InAs в матрице GaAs, состоящий из пар вертикально совмещенных квантовых точек InAs. Исследование полученных структур методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что вертикально совмещенные квантовые точки имеют одинаковый размер. Фотолюминесцентные измерения продемонстрировали наличие в спектрах исследуемых образцов полос, соответствующих электронным состояниям квантовых молекул.