Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), 198013 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Влияние лазерного излучения наформирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В.
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Влияние лазерного излучения наформирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 204
Аннотация Сообщается о результатах исследования влияния лазерного излучения малой мощности на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия из паровой фазы на подложке, охлажденной жидким азотом (резко неравновесные условия). Приводятся результаты технологических экспериментов, результаты исследования дифракции электронов (электронограммы) и данные о диаграмме конденсации. Выявлено, что в зависимости от температуры подложки лазерное излучение может как способствовать повышению кристаллического совершенства пленок, так и оказывать отрицательное воздействие. Показано, что диаграмма конденсации слоев сульфида кадмия при облучении подложки лазерным излучением малой мощности сдвинута относительно диаграммы конденсации, полученной без воздействия лазерного излучения, в сторону более высоких температур. Результаты эксперимента интерпретируются в рамках модели солитонной гетероэпитаксии.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален