Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут микроэлектроники и информатики Российской академии наук, 150007 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Качественное различие механизмов процесса электроформовки вструктурах Si--SiO2--W для Si n- иp-типов проводимости

Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л.

Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Качественное различие механизмов процесса электроформовки вструктурах Si--SiO2--W для Si n- иp-типов проводимости // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 222

Аннотация Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых \glqq сaндвич\grqq-структурах Si--SiO2--W с толщиной SiO2 около20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором--- типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.