Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Национальный университет &#92;glqq Львивська политехника&#92;grqq, 79013 Львов, Украина + Санкт-Петербургский государственный политехнический униве ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/ PbPc/p-Si

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/ PbPc/p-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 234

Аннотация Получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PbPc/p-Si. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности в новых структурах. Сделан вывод о перспективах их применения в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.