Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений

Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В.

Дапкус Л., Пожела К., Пожела Ю., Шиленас А., Юцене В., Ясутис В. Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 281

Аннотация Гетероструктура--- варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке--- исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией5.48 эВ(241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в1.5-2раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.