Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник
Берман Л.С. Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 332
Аннотация
Выполнен расчет деполяризации в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика--- численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1.Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2.Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. Вслучае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален