Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Закон Вегарда исверхструктурная фаза вэпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100)

Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С.

Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Закон Вегарда исверхструктурная фаза вэпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 354

Аннотация Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Вэпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs2 с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al0.50Ga0.50As и монокристаллической подложкиGaAs.