Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль примеси бора вактивации свободных носителей заряда вслоях пористого кремния приадсорбции акцепторных молекул

Осминкина Л.А., Константинова Е.А., Шаров К.С., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю.

Осминкина Л.А., Константинова Е.А., Шаров К.С., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Роль примеси бора вактивации свободных носителей заряда вслоях пористого кремния приадсорбции акцепторных молекул // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 365

Аннотация Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследована роль примеси бора в слоях пористого кремния при активации в них свободных носителей в условиях взаимодействия с акцепторными молекулами двуокиси азота. Обнаружено, что концентрация возникающих при адсорбции свободных дырок тем больше, чем выше уровень легирования бором подложек, используемых для получения пористого кремния. Результаты экспериментов объяснены формированием на поверхности кремниевых нанокристаллов, составляющих пористый кремний, донорно-акцепторных пар в виде анион-радикалов (NO2)- и положительно заряженных дефектов--- оборванных связей кремния.