Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Плотность состояний вщели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием

Бирюков А.В., Казанский А.Г., Теруков Е.И., Хабарова К.Ю.

Бирюков А.В., Казанский А.Г., Теруков Е.И., Хабарова К.Ю. Плотность состояний вщели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 369

Аннотация Исследовано влияние легирования эрбием пленок аморфного гидрированного кремния на плотность электронных состояний в щели подвижности. Проведено сравнение с данными для пленок a-Si : H, легированных мышьяком. Информация о плотности состояний в нижней и верхней половинах щели подвижности получалась из измерений, соответственно, спектральных зависимостей коэффициента поглощения и температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Проведенные исследования показали, что легирование пленок a-Si : H эрбием приводит к увеличению плотности состояний как в нижней, так и в верхней половине щели подвижности.