Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияВсероссийский электротехнический институт, 111250 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур

Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г.

Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 372

Аннотация Продемонстрировано существование нового механизма формирования критического заряда включенияQcr в тиристорных структурах. Построена новая аналитическая модель, позволившая получить соотношения, определяющие величину критического заряда в современных тиристорных структурах как на основе Si, так и на основе нового материала SiC. Справедливость предложенной аналитической модели критического заряда подтверждена с помощью численного эксперимента.