Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наука Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния

Гуле Е.Г., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Свечников С.В.

Гуле Е.Г., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 430

Аннотация На структурах нано/монокремний, полученных импульсным лазерным осаждением пленки нанокристаллического кремния (nc-Si) на подложку из монокристаллического кремния (c-Si), наблюдали сигнал краевой фотолюминесценции c-Si с максимумом при ~1.09 эВ при комнатной температуре. Сигнал фотолюминесценции увеличивался при уменьшении как плотности поверхностных состояний на границе nc-Si/c-Si, так и рассеяния краевого излучения c-Si в пленке nc-Si.