Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Особенности электропроводности легированных пленок alpha -Si : H снанокристаллами кремния
Аржанникова С.А., Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Вишняков А.В., Володин В.А. Особенности электропроводности легированных пленок alpha -Si : H снанокристаллами кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 472
Аннотация
Проведено исследование электрофизических свойств нелегированных и намеренно легированных фосфором пленок alpha-Si : H, содержащих нанокристаллы кремния. Нанокристаллы кремния формировались при твердофазном фазовом переходе в результате наносекундного воздействия излучения эксимерного XeCl-лазера на аморфную пленку. Образование нанокристаллов в нелегированных пленках сопровождалось увеличением проводимости на 2--3 порядка с одновременным уменьшением эффективной энергии активации проводимости с 0.7 до0.14 эВ. Размер нанокристаллов составлял величину от2 до10 нм в зависимости от режимов лазерных обработок, что было определено исходя из данных комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей электронной микроскопии. На основе расчета энергий локализованных состояний электронов и дырок в нанокристаллах получена температурная зависимость уровня Ферми. Показано, что при понижении температуры уровень Ферми стремится к энергии состояний в нанокристаллах кремния в широком интервале концентраций легирующей примеси. Привязка уровня Ферми к состояниям в нанокристаллах является следствием их многозарядности. Обнаружено, что при лазерных обработках легированных аморфных пленок кремния происходит эффективная трансформация фосфора в электрически активное состояние, что является актуальным для создания мелких p-n-переходов и контактов к аморфным пленкам кремния.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален