Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN

Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н.

Сизов Д.С., Сизов В.С., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 492

Аннотация Исследована статистика носителей в светодиодных структурах с многослойными сверхтонкими внедрениями InGaN в матрице GaN. Оптические данные свидетельствуют о формировании в исследованных структурах массива квантовых точек, имеющих разброс по размерам, что приводит к неоднородному уширению энергетического спектра носителей, локализованных в квантовых точках. Показано, что, несмотря на слабый транспорт носителей между квантовыми точками, при температурах порядка комнатной и выше носители распределяются на уровнях массива квантовых точек квазистатистически. Это позволяет описывать процессы инжекции и рекомбинации носителей в исследованных приборных структурах с позиции квазиуровней Ферми для электронов и дырок.