Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахA IIIB V

Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П.

Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахA IIIB V // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 552

Аннотация Получены пористые подложки GaAs (100) и(111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль< 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.