Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут пробем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * The School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK + Институт радиотехники и электроники Россий ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансное туннелирование дырок вдвубарьерных структурах сквантовыми точками InAs вцентре квантовой ямыGaAs

Морозова Е.Н., Макаровский О.Н., Волков В.А., Дубровский Ю.В., Turyanska L., Вдовин Е.Е., Patane A., Eaves L., Henini M.

Морозова Е.Н., Макаровский О.Н., Волков В.А., Дубровский Ю.В., Turyanska L., Вдовин Е.Е., Patane A., Eaves L., Henini M. Резонансное туннелирование дырок вдвубарьерных структурах сквантовыми точками InAs вцентре квантовой ямыGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 573

Аннотация Исследовано влияние квантовых точек InAs, выращенных в центре квантовой ямы GaAs, на туннельные характеристики резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур AlAs/GaAs/AlAs p-типа. Введение квантовых точек приводит к сдвигу и размытию резонансных пиков на вольт-амперных характеристиках диодов, однако этот эффект существенно зависит от номера 2D подзоны, через которую идет туннелирование. Причины такой зависимости качественно объяснены возникновением флуктуационного потенциала в окрестности слоя квантовых точек.