Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 Организация* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия &#36; Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диффузионный механизм роста нановискеровGaAs иAlGaAs вметоде молекулярно-пучковой эпитаксии

Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М.

Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. Диффузионный механизм роста нановискеровGaAs иAlGaAs вметоде молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 587

Аннотация Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии нановискеров GaAs и AlGaAs на проверхностиGaAs (111)B, активированнойAu. Экспериментально показана возможность получения нановискеров длиной, на порядок превосходящей эффективную толщину осажденногоGaAs. Обнаружено, что экспериментальная зависимость длины нановискераL от его диаметраD может иметь вид, качественно отличный от наблюдаемого при росте по механизму пар--жидкость--кристалл. Полученные в работе зависимости L(D) показывают уменьшениеL при увеличенииD. Обнаруженные эффекты связаны с наличием диффузионного транспорта атомов с поверхности на вершину вискера, который приводит к существенному увеличению скорости роста тонких вискеров. Развита теоретическая модель формирования нановискеров при молекулярно-пучковой эпитаксии, объединяющая механизм пар--жидкость--кристалл и диффузионную модель роста и качественно объясняющая полученные экспериментальные результаты.