Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 Организация* Белорусский национальный технический университет, 220100 Минск, Белоруссия + Institute of Physics, Ilmenau Technical University, 98684 Ilmenau, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре

Герасимович А.А., Жоховец С.В., Гобш Г., Доманевский Д.С.

Герасимович А.А., Жоховец С.В., Гобш Г., Доманевский Д.С. Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 729

Аннотация Исследовано электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре. Наблюдалось осциллирующее поведение сигнала электроотражения в зависимости от толщины верхнего барьера AlGaAs. Экспериментальные данные анализируются с использованием диэлектрической функции квантовых ям и метода матриц переноса для слоистых систем, что позволяет определить параметры квантовых ям и барьерных слоев.