Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут биохимической физики Российской академии наук, 119991 Москва, Россия * Korea Advanced Institute ofScience and Technology, Daejeon 305-701, South Korea + Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD

Шевалеевский О.И., Myong S.Y., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M.

Шевалеевский О.И., Myong S.Y., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M. Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 741

Аннотация Исследовано поведение парамагнитных DB-дефектов и темновой проводимости(sigmad) влегированных бором пленках нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода nc-SiC : H, выращенных методомphoto-CVD. Показано, что увеличение уровня легирования приводит к фазовому переходу от кристаллической структуры к аморфной. Проводимость растет с легированием до sigmad=5.5·10-2 Ом-1·см-1, однако после фазового перехода понижается. Концентрация DB-дефектов с легированием монотонно убывает от1019 см-3 вкристаллической до9·1017 см-3 ваморфной структуре.