Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия * Ингушский государственный университет, 386100 Магас, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект вкристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=&lt; x=&lt; 0.02)

Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М.

Георгобиани А.Н., Матиев А.Х., Хамхоев Б.М. Анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект вкристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 820

Аннотация Изучалась анизотропия показателя преломления и электрооптический эффект в кристаллах Tl1-xCuxGaSe2 (0=< x=< 0.02). Показано, что показатель преломления растет при приближении к собственной полосе поглощения. Установлено, что, когда свет и внешнее электрическое поле направлены вдоль выделенной кристаллографической оси c, электрооптический эффект является квадратичным; если же поле перпендикулярно оси c, а свет направлен вдоль нее, то электрооптический эффект является линейным.