Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Department of Physics, Bath University, UK + Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние состояний награницах раздела наемкость иэффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов
Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Лавринович Д.А., Шретер Ю.Г. Влияние состояний награницах раздела наемкость иэффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 829
Аннотация
Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции голубых GaN-светодиодов с InGaN-квантовой ямой. Результаты интерпретируются с учетом влияния локализованных на интерфейсе InGaN / GaN состояний, создаваемых дефектами структуры и примесями, на емкость GaN-светодиодов. Нелинейные C-2(U)-характеристики, наблюдающиеся при малых прямых напряжениях, связываются с увеличением заряда на интерфейсе в результате туннелирования и захвата свободных электронов на состояния интерфейса. Согласно оценкам, на интерфейсе присутствуют состояния с плотностью порядка 3·1012 см-2. Рекомбинационный ток в области интерфейса приводит к подавлению инжекции носителей заряда в квантовую яму и падению эффективности электролюминесценции при больших прямых напряжениях. Процесс деградации оптической мощности светодиода, сопровождающийся ростом измеряемой емкости, связывается с увеличением плотности заряженных состояний на инетрфейсе и изменением их распределения в запрещенной зоне.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален