Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияГосударственный инженерный университет Армении, Гюмрийский филиал, 377503 Гюмри, Армения * Арцахский государственный университет, 374430 Степанакерт, Республика Нагорный Карабах ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические переходы в квантованном цилиндрическом слое приналичии однородного электрического поля

Арутюнян В.А., Арутюнян С.Л., Демирчян Г.О., Петросян Г.Ш.

Арутюнян В.А., Арутюнян С.Л., Демирчян Г.О., Петросян Г.Ш. Оптические переходы в квантованном цилиндрическом слое приналичии однородного электрического поля // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 839

Аннотация В одноэлектронном приближении рассмотрено изменение энергетического спектра носителей заряда в цилиндрическом полупроводниковом слое под влиянием поперечного к оси симметрии однородного электрического поля. Получена явная зависимость величины штарковского сдвига от напряженности внешнего поля и нанорадиальных размеров образца. Рассчитаны также коэффициенты поглощения и получены соответствующие правила отбора для межзонных и внутризонных-межподзонных оптических переходов в присутствии внешнего электрического поля.