Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 Организация* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190083 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Переход оттермодинамического режима формирования квантовых точек всистеме InAs / GaAs(100) ккинетическому

Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Берт Н.А., Устинов В.М.

Мусихин Ю.Г., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Берт Н.А., Устинов В.М. Переход оттермодинамического режима формирования квантовых точек всистеме InAs / GaAs(100) ккинетическому // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 853

Аннотация Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. Взакритической области (более 1.8монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.