Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияИнститут общей физики им. А.М.Прохорова Российской академии наук, 119991 Mocква, Россия + Центр естественно-научных исследований при Институте общей физики Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных изнанокристаллических порошков кремния
Кононов Н.Н., Кузьмин Г.П., Орлов А.Н., Сурков А.А., Тихоневич О.В. Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных изнанокристаллических порошков кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 868
Аннотация
Исследованы инфракрасные спектры пропускания и темновая проводимость пластин, изготовленных из порошков нанокристаллического кремния (nc-Si). Исходные порошки nc-Si синтезировались методом лазерно-индуцированной диссоциации силана в диапазоне температур окружающего буферного газа от 20 до 250oC и затем прессовались при давлениях от 108 до 109 Па. Обнаружено, что в процессе прессования порошков nc-Si в них формируются структуры Si--H, Si--CHx и Oy--Si--Hx (x,y=1-3). Образованные структуры разрушаются при отжиге пластин, причем наименьшая температура отжига (t=160oC) требуется для разрушения комплексов Si--H, Si--CHx. Показано, что темновая проводимость пластин nc-Si возрастает с увеличением температуры буферного газа, при которой синтезировался исходный порошок. Обнаружено, что существуют две температурные области, в которых темновая проводимость пластин имеет качественно различный характер. При температурах пластин T>=q 270 K проводимость связана со свободными носителями заряда, в то время как при меньших температурах электронный транспорт определяется прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в запрещенной зоне.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален