Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова (Физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний вa-Si : H (B)

Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В.

Ормонт Н.Н., Курова И.А., Прокофьев Г.В. Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний вa-Si : H (B) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 960

Аннотация Исследована кинетика термической релаксации ансамбля фотоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора в пленках a-Si : H (B) после частичной релаксации ансамбля в темноте и при подсветках разной интенсивности и длительности. Определены параметры растянутой экспоненты, описывающей кинетику релаксации ансамблей. Установлено, что фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний проявляется в условиях, когда ее скорость превышает скорость их фотоиндуцированного образования. Показано, что изменения функции распределения метастабильных состояний по временам релаксации вследствие термической и фотоиндуцированной релаксации подобны.