Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный институт электронной техники (Технический университет), 124498 Москва, Зеленоград, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si

Шерченков А.А., Будагян Б.Г., Мазуров А.В.

Шерченков А.А., Будагян Б.Г., Мазуров А.В. Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 964

Аннотация Исследованы свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si, сформированных при различном содержании углерода в сплаве. Установлены преобладающие механизмы переноса носителей заряда в гетероструктурах. Предложены эквивалентные электрические схемы, позволяющие описать вольт-амперные характеристики гетероструктур во всем исследуемом диапазоне смещений. Оценены температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны и сродство к электрону для a-SiC : H.