Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Ужгородский национальный университет, 88000 Ужгород, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурные преобразования иоптические свойства халькогенидных стекол As2S3

Фекешгази И.В., Май К.В., Мателешко Н.И., Мица В.М., Боркач Е.И.

Фекешгази И.В., Май К.В., Мателешко Н.И., Мица В.М., Боркач Е.И. Структурные преобразования иоптические свойства халькогенидных стекол As2S3 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 986

Аннотация Исследовано влияние температуры выдержки расплава (Ti) и скорости закалки (Vi) на структуру и оптические свойства стекол As2S3. Установлено, что с ростом значенийTi и Vi наблюдается увеличение ширины запрещенной зоны стекол, уменьшение их плотности, показателя преломления (от 2.71 до2.48), а также коэффициента двухфотонного поглощения (от 0.37 до 0.15 см / МВт), что сопровождается возрастанием значений порога лучевой прочности.