Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера
Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е. Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1064
Аннотация
Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe взависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален