Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия $ Институт физики твердого тела и полупроводников Н
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур наоснове пленокZn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П., Сергеева О.Н. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур наоснове пленокZn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1070
Аннотация
Методом селенизации получены поликристаллические пленки Zn2-2xCuxInxSe2 (ZCIS) p-типа проводимости с толщинами1-2 мкм. На основе пленок созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-ZCIS. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности структур, полученных селенизацией исходных пленок ZnSe/(Cu--In) и (Zn--Cu--In). Определена оптическая ширина запрещенной зоны Zn2-2xCuxInxSe2 пленок. Сделаны выводы о перспективах применения полученных пленок в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален